以鎂鋁尖晶石(MgAl₂O₄)和氧化釔陶瓷(Y₂O₃)為代表的高光學質(zhì)量透明陶瓷因其優(yōu)異的綜合物理化學性能在激光、高技術(shù)和醫(yī)療等諸多領(lǐng)域具有廣泛應用。然而，受限于陶瓷材料本身的脆性及難加工特性，透明陶瓷的連接是實際工程應用過程中面臨的關(guān)鍵技術(shù)難題。目前，已有多種應用于透明陶瓷的連接技術(shù)，如機械連接、擴散連接、釬焊連接等，但均難以解決連接部件同時具有高連接強度及良好光學透過率的要求。近幾年，受到閃速燒結(jié)(Flash sintering)技術(shù)的啟發(fā)，電場輔助快速連接技術(shù)應用而生，通過施加閾值直流電場激發(fā)大量氧缺陷，在力-熱-電三場耦合作用下，能夠在極短的時間內(nèi)（秒級）實現(xiàn)陶瓷材料的連接。  

　　中國科學院上海硅酸鹽研究所先進碳化物陶瓷材料課題組劉巖研究員首次提出將電場輔助快速連接技術(shù)應用于透明陶瓷的連接。近期，研究團隊實現(xiàn)了鎂鋁尖晶石/鎂鋁尖晶石以及氧化釔透明陶瓷/鈦合金之間的電場輔助快速連接，通過對工藝參數(shù)、連接強度和界面形貌的調(diào)控，研究團隊在1500 /(5v/cm)/180秒的工藝條件下獲得抗彎強度達到256MPa（母材自身強度的114%）且在中紅外波段透過率達到85%的MgAl₂O₄/ MgAl₂O₄連接件；此外，采用電場輔助快速連接技術(shù)同樣實現(xiàn)了Y₂O₃透明陶瓷與TC4鈦合金的連接，連接部件最高抗剪切強度達到36 2 MPa。通過對連接界面物相分析、有限元模擬、阻抗分析等方法，研究團隊對透明陶瓷電場輔助快速連接機理提出了新的見解，對于透明陶瓷間的連接而言，接觸阻抗導致焦耳熱在接合界面附近積聚，使得擴散系數(shù)增大并促進肖特基缺陷的形成，同時缺陷沿電場方向快速遷移，實現(xiàn)界面連接；對于透明陶瓷與金屬間的連接而言，電場和電流的協(xié)同作用，氧空位在閾值電場作用下生成并與電子結(jié)合，在界面附近聚集成微孔，同時在焦耳加熱和電流電遷移的共同作用下與原子/離子發(fā)生快速反應而實現(xiàn)連接。相關(guān)研究成果已在J. Eur. Ceram. Soc. https://doi.org/10.1016/j.jeurceramsoc.2023.11.033、.J.Eur.Ceram.Soc.44(2023):408-418 、Ceram.Int.48(2022):32561-32565發(fā)表，同時申請中國發(fā)明專利3項，論文第一作者為上海硅酸鹽所碩博研究生李天宇和碩博研究生張珂穎，通訊作者為劉巖研究員和黃政仁研究員。同時，該研究團隊近年來相繼開發(fā)了碳化硅陶瓷NITE連接技術(shù)、碳化硅陶瓷低溫玻璃焊接技術(shù)等多種先進陶瓷連接技術(shù)，相關(guān)研究成果獲國家自然科學基金和國家重點研發(fā)計劃的資助和支持。  

MgAl₂O₄/ MgAl₂O₄電場輔助快速連接過程電壓電流變化圖及連接件透過率

鎂鋁尖晶石透明陶瓷電場輔助快速連接機理圖

Y₂O₃/TC4電場輔助快速連接界面示意圖

氧化釔透明陶瓷與鈦合金電場輔助快速連接過程示意圖